RU BE

Олехнович Николай Михайлович

Олехнович Николай Михайлович - белорусский изобретатель, ученый, физик

2 мая 1935г

Гродненская область, Слонимский район, Вороничи

Изобретатель, Ученый, Физик

Белор. Мікалай Міхайлавіч Аляхновіч

Белорусский физик, академик Национальной академии наук Беларуси (1996; член-корреспондент с 1989), доктор физико-математических наук (1988), профессор (1991). Заслуженный деятель науки Республики Беларусь (1999).

Биография

Олехнович родился в деревне Вороничи (ныне — Слонимский район, Гродненская область) в крестьянской семье. После окончания в 1957 году физико-математического факультета БГУ он работал в Физико-техническом институте АН БССР, а с 1959 года — в Отделе физики твёрдого тела и полупроводников АН БССР, который вскоре был преобразован в Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР. В 1968—1989 гг. он возглавлял лабораторию, а с 1993 по 2004 гг. был директором этого института. Одновременно в 1997—2002 гг. он выполнял обязанности академика-секретаря Отделения физики, математики и информатики НАН Беларуси. С 2004 года Олехнович является главным научным сотрудником Объединённого института физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, читает лекции в БГУ.

Научная деятельность

Научные работы Олехновича посвящены вопросам физики твёрдого тела, кристаллофизике. В защищённой в 1963 кандидатской диссертации он изучил пространственное распределение электронной плотности в кристаллах полупроводников, которое можно использовать для определения их физических характеристик. С 1967 Олехнович изучал дефекты в реальных кристаллах, разработал рентгеновский дифракционно-поляризационный метод анализа кристаллов, исследовал явления двулучепреломления и деполяризации рентгеновского излучения на дислокациях, эффект толщинных осцилляций интенсивности рассеяния рентгеновских лучей, что позволяет определять типы и количество дефектов. Он развил подход для описания фазовых превращений кристаллов типа перовскита, внес значительный вклад в создание новых материалов, которые могут быть использованы в твердотельной электронике.

Публикации

Олехнович является автором 10 изобретений и более 300 научных публикаций, среди которых:

  • N.M. Olekhnovich, A.I. Olekhnovich. Dynamic effects of diffuse X-ray scattering near bragg reflections (недоступная ссылка) // Phys. Stat. Sol. (a). — 1982. — V. 67, № 2.
  • N.M. Olekhnovich, A.L. Karpei. Dynamical effects of X-ray scattering in Laue geometry for Si crystals with structure defects (недоступная ссылка) // Phys. Stat. Sol. (a). — 1984. — V. 82, № 2.
  • Н. М. Олехнович. Интегральные характеристики дифракции рентгеновских лучей в монокристаллах с хаотическим распределением дислокаций // Металлофизика. — 1986. — Т. 8, № 1.
  • N.M. Olekhnovich, A.V. Pushkarev. Birefringence and depolarition effects of X-ray scattering in Laue geometry for highly distorted crystals (недоступная ссылка) // Phys. Stat. Sol. (a). — 1990. — V. 119, № 1.
  • Н. М. Олехнович. Длины ненапряженных связей и соответствующие им радиусы катионов в кристаллах со структурой типа перовскита // Кристаллография. — 2004. — Т. 49, № 5.
  • Н. М. Олехнович. Напряженность межатомных связей и многоямный потенциал в кристаллах со структурой типа перовскита // Кристаллография. — 2005. — Т. 50, № 3.
Если вы заметили ошибку в тексте, пожалуйста, выделите её и нажмите Ctrl+Enter
© «Наши люди», 2021-2024
Сообщить об ошибке
Сообщение отправлено!
Произошла ошибка :(